М.О.Aboelfbtoh, et all. Electrical and microstructural characteristics of GeCu ohmic contacts to n-type GaAs. J. Mater. Res., Vol.12, No. 9, 1997, pp.2325-2332. М.O.Aboelfbtoh. Microstructure characterization of Cu3Ge/n-type GaAs ohmic contacts. J. Appl. Phys., 76 (10), 1994. RU 2084988 C1, 20.07.1997. SU 1817159 A1, 23.05.1993. SU1440296 A1, 10.12.1995. SU 519043 A1, 20.05.2000. US 7368822 A, 06.05.2008. US 5444016 A, 22.08.1995. US 4540446 A, 10.09.1985. KR 970003830 B1, 22.03.1997. JP 62205622 A, 10.09.1987. JP 6163455 A, 10.06.1994.
Имя заявителя:
Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" (RU)
Изобретатели:
Ерофеев Евгений Викторович (RU) Кагадей Валерий Алексеевич (RU)
Патентообладатели:
Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения дискретных приборов и интегральных схем на основе полупроводниковых соединений AIIIBV, в частности к созданию омических контактов для областей стока и истока полевых транзисторов с барьером Шоттки, а также гетероструктурных транзисторов с высокой подвижностью электронов. Техническим результатом изобретения является уменьшение величины приведенного контактного сопротивления. Сущность изобретения: в способе изготовления Cu-Ge омического контакта на поверхности пластины n-GaAs или эпитаксиальной гетероструктуры GaAs с n-слоем создают резистивную маску, осаждают пленки Ge и Cu, проводят первую термообработку в атмосфере атомарного водорода при температуре от 20 до 150°С и плотности потока атомов водорода на поверхность пластины, равной 1013-1016 ат. см-2 с-1. Извлекают пластины из вакуумной камеры установки напыления, удаляют резистивную маску до или после первой термообработки и проводят вторую термообработку. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента