RU 2375480 C1, 10.12.2009. RU 2263721 C2, 10.11.2005. GB 2178059 A, 04.02.1987. US 5722034 A, 24.02.1998. WO 02/052051 A3, 04.07.2002. US 5224534 А, 06.07.1993.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (ИФТТ РАН) (RU)
Изобретатели:
Глебовский Вадим Георгиевич (RU) Сидоров Николай Сергеевич (RU) Штинов Евгений Дмитриевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (ИФТТ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к способу получения высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней. Способ включает очистку раствора паравольфрамата аммония сульфидом аммония от примеси молибдена, затем ведут очистку ионным обменом на анионите АМ-n и термическое разложение паравольфрамата аммония при температуре 600-800°С до получения трехокиси вольфрама. Трехокись вольфрама очищают зонной сублимацией при температуре 900-950°С в постоянном потоке кислорода. Затем проводят гетерогенное восстановление водородом трехокиси вольфрама при температуре 700-750°С до образования порошка вольфрама, прессуют порошок до получения прутка вольфрама, ведут электронную вакуумную зонную перекристаллизацию прутка вольфрама до получения кристалла вольфрама и электронную вакуумную плавку кристаллов вольфрама в плоском кристаллизаторе с проплавлением плоского слитка вольфрама с каждый стороны на всю глубину не менее двух раз. При этом пруток вольфрама перед зонной перекристаллизацией обрабатывают хлором при скорости подачи хлора 100 мл/мин и температуре 300°С в течение 1 часа. Техническим результатом является повышение чистоты вольфрама, предназначенного для тонкопленочной металлизации магнетронным распылением мишеней, и, как следствие, улучшение электрофизических параметров наносимых тонких слоев.
Поиск патентов
Получить полное описание патента