Настоящее изобретение относится к подложкам активных матриц и жидкокристаллическим устройствам отображения и направлено на подавление изменений проходного напряжения, сгенерированного паразитным емкостным сопротивлением между затворным электродом и электродом стока. Подложка активной матрицы содержит: множество пиксельных областей, определенных в форме матрицы; множество истоковых шин, простирающихся параллельно друг другу между пиксельными областями; множество затворных шин, простирающихся параллельно друг другу в направлении, пересекающем истоковые шины; множество вспомогательных емкостных шин, простирающихся между затворными шинами; множество тонкопленочных транзисторов, имеющих затворный электрод, полупроводниковый слой, истоковый электрод и электрод стока; и множество вспомогательных емкостных электродов, предусмотренных в соответствующих пиксельных областях с возможностью простирания вдоль вспомогательных емкостных шин и с возможностью перекрытия вспомогательных емкостных шин, в том же слое, что и электрод стока каждого из тонкопленочных транзисторов. В каждом из вспомогательных емкостных электродов пиксельных областей боковой конец на одной стороне расположен внутри одной из вспомогательных емкостных шин, причем упомянутый боковой конец на одной стороне находится в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, таким образом, чтобы войти снаружи затворного электрода внутрь его, и боковой конец на другой стороне расположен снаружи одной из вспомогательных емкостных шин, причем упомянутый боковой конец на другой стороне находится в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, таким образом, чтобы выйти изнутри затворного электрода наружу его. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 19 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента