KACHARAVA G.G. et al, YBa2Cu3O7-у single-crystal growth by the method of horizontally directed temperature gradient, "Superconductor Science and Technology", 1991, 4, 707. SU 1738876 A1, 07.06.1992. SU 1522792 A1, 30.11.1993. JP 02188500 A, 24.07.1990.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (RU)
Изобретатели:
Ельцев Юрий Федорович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) типа «123», необходимых для проведения экспериментальных исследований фундаментальных свойств ВТСП, а также изготовления приборов и устройств сверхпроводниковой электроники. Способ заключается в том, что тигель со смесью порошков, содержащей 1 весовую часть предварительно синтезированного высокотемпературного сверхпроводящего материала типа «123» и 5÷15 весовых частей эвтектической смеси окиси бария и окиси меди, нагревают в печи до температуры плавления смеси, выдерживают при этой температуре в течение 20÷50 часов в однородном температурном поле и проводят рост кристаллов в процессе охлаждения тигля со смесью в присутствии горизонтально направленного температурного градиента, при этом нагрев и выдержку тигля со смесью осуществляют при температуре 1000±5°С, непосредственно перед началом охлаждения тигель с указанной смесью порошков плавно, в течение 10-15 минут, смещают в область печи с горизонтальным температурным градиентом 9÷11°С/см, поддерживая неизменной температуру 1000±5°С на горячей стенке тигля, а последующий рост кристаллов проводят при охлаждении тигля со смесью со скоростью 0,5÷2°С/час в постоянном температурном градиенте. Изобретение позволяет получать высококачественные монокристаллы ВТСП типа «123», обладающие зеркальными поверхностями и размерами в плоскости ab более 1 мм.
Поиск патентов
Получить полное описание патента