ЕР 0354372 А1, 14.02.1990. US 2006113565 A1, 01.06.2006. Barquinha et all; Influence of the semiconductor thickness on the electrical properties of transparent TFTs based on indium zinc oxide. JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, NORTH-HOLLAND PHYSICS PUBLISHING. AMSTERDAM, NL - Vol. 352, N 9-20, Page(s) 1749-1752. JP 2005072461 A, 17.03.2005. SU 1817240 A1, 23.05.1993.
Изобретение относится к инвертору, состоящему из тонкопленочных транзисторов с оксидным полупроводниковым слоем. Сущность изобретения: способ изготовления инвертора, работающего в режиме обогащения/обеднения (E/D), имеющего множество тонкопленочных транзисторов на одной и той же подложке, канальные слои которых состоят из оксидного полупроводника, содержащего по меньшей мере один элемент, выбранный из In, Ga и Zn, содержит этапы, на которых формируют первый транзистор и второй транзистор, толщина канальных слоев первого и второго транзисторов является взаимно различной, и применяют термообработку по меньшей мере к одному из канальных слоев первого и второго транзисторов. Изобретение обеспечивает расширение технических средств, позволяющих получить инвертор с оксидными полупроводниковыми тонкопленочными транзисторами, имеющими различные пороговые напряжения, упрощение способа получения инвертора с такими характеристиками, снижение его стоимости. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 18 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента