US 7323051 B2, 29.01.2008. JP 11199395 A, 27.07.1999. JP 2001114598 A, 24.04.2001.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Гранник" (RU)
Изобретатели:
Авров Дмитрий Дмитриевич (RU) Дорожкин Сергей Иванович (RU) Лебедев Андрей Олегович (RU) Таиров Юрий Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Гранник" (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого при изготовлении интегральных микросхем. Способ получения монокристаллического SiC включает сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на подложку из затравочного монокристалла SiC, также размещенного в тигле на графитовом держателе с использованием переходного слоя. Этот слой содержит механическую смесь порошков углерода и карбида кремния в виде любых их модификаций, с добавлением связующего или без него. Его размещают между затравочным кристаллом и держателем, а поверхности затравочного кристалла и держателя затравки обработаны адгезивом. Переходный слой может состоять из нескольких подслоев различного состава, нанесенных последовательно. При нанесении переходного слоя используют суспензию порошков карбида кремния и углерода в виде графита или сажи, при этом в качестве дисперсионной среды для получения суспензии используют изопропиловый, или виниловый, или этиловый спирт. Технический результат предлагаемого способа заключается в снижении механических напряжений в затравке и, как следствие, улучшении качества целевого продукта. 6 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента