Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 
Главная       Патентный отдел       Технологии       Справочник ГРНТИ       Прием       Наши координаты       Обратная связь      

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО - И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ

Номер публикации патента: 2430343

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010134282/28 
   Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 6 
Основные коды МПК: G01L009/00   B82B001/00    
Аналоги изобретения: RU 2391641 C1, 10.06.2010. JP 2008116287 A, 22.05.2008. KR 20030064534 A, 02.08.2003. CN 101586992 A, 25.11.2009. WO 2004113858 A2, 29.12.2004. 

Имя заявителя: Белозубов Евгений Михайлович (RU),
Белозубова Нина Евгеньевна (RU),
Васильев Валерий Анатольевич (RU),
Савинова Юлия Алексеевна (RU) 
Изобретатели: Белозубов Евгений Михайлович (RU)
Белозубова Нина Евгеньевна (RU)
Васильев Валерий Анатольевич (RU)
Савинова Юлия Алексеевна (RU) 
Патентообладатели: Белозубов Евгений Михайлович (RU)
Белозубова Нина Евгеньевна (RU)
Васильев Валерий Анатольевич (RU)
Савинова Юлия Алексеевна (RU) 

Реферат


Датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы относится к области измерительной техники и предназначен для измерения давления при воздействии нестационарных температур и повышенных виброускорений. Датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы (НиМЭМС), содержащий корпус, установленную в нем НиМЭМС, состоящую из упругого элемента - круглой мембраны, жестко заделанной по контуру, сформированной на ней гетерогенной структуры из тонких пленок материалов, в которой образованы тензорезисторы, состоящие из идентичных тензоэлементов, соединенные тонкопленочными перемычками из низкоомного материала и включенные соответственно в противоположные плечи измерительного моста окружные и радиальные тензорезисторы, выполненные в виде соединенных тонкопленочными перемычками одинакового количества имеющих одинаковую форму тензоэлементов, расположенных по окружности на периферии мембраны, выводные проводники, соединяющие тензорезисторы с гермовыводами, отличающийся тем, что характеристики элементов конструкции датчика связаны , ; , ; , ; , ; , ; , ; , ; , ; , ; , ; , ; , ; , ; , связаны соответствующим соотношением. Техническим результатом изобретения является уменьшение погрешности измерения в условиях воздействия нестационарных температур и повышенных виброускорений за счет уменьшения суммарной интегральной термоэдс путем оптимизации соотношений характеристик элементов конструкции. 4 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь 		Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"