ВИКАРЧУК А.А. и др. Пентагональные кристаллы меди: многообразие форм роста и особенности внутреннего строения. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып.2, с.339-344. Соминский М.С. Полупроводники, Государственное издательство физико-математической литературы. - М., 1961, с.197-199.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования "Тольяттинский государственный университет" (RU)
Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования "Тольяттинский государственный университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области гальванопластики и может быть применено для изготовления деталей устройств нанотехнологического оборудования, использующих метод сканирующего зонда, например, кантилеверов. Кристаллы выращивают на подложке осаждением из электролита. На подложке образуют дефект дисклинационного типа в виде ямки пятиугольного сечения или микротрещины, используют в качестве дефекта плоские пентагональные кристаллы, пленки или покрытия, либо стык кристаллов. Образуя несколько дефектов дисклинационного типа, выращивают одновременно несколько игольчатых кристаллов в форме усов. Выращенные игольчатые кристаллы подвергают электрополированию, формируя острие. В качестве подложки может быть использована деталь устройства, на которой должен быть закреплен игольчатый кристалл. Технический результат - снижение трудоемкости изготовления игольчатых кристаллов. Способ уменьшает количество операций и позволяет выращивать кристаллы в нужном месте и нужных размеров. Это также повышает надежность работы оборудования, в котором используется игольчатый кристалл. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента