RU 2357923 С2, 10.06.2009. DE 1209113 В, 20.01.1966. JP 59039710 А, 05.03.1984. ЕР 2105408 А1, 30.09.2009.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет (RU)
Изобретатели:
Образцов Сергей Викторович (RU) Налесник Олег Иванович (RU) Дмитриенко Виктор Петрович (RU) Гребнев Василий Александрович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет (RU)
Реферат
Изобретение относится к хлорсилановой технологии получения поликристаллического кремния и может быть использовано в производстве полупроводниковых материалов и электронных приборов. Способ осуществляют в реакторе путем водородного восстановления смеси хлорсиланов с термическим разложением силана и осаждения до необходимой толщины слоя поликристаллического кремния на нагретую до 1100-1200°С стержневую основу, при этом на кремниевую стержневую основу сначала осаждают поликристаллический кремний до получения слоя толщиной около 2 мм, затем поверхность этого слоя поляризуют приложением к ней положительного потенциала 8-10 В относительно основы и осаждают рыхлый слой поликристаллического кремния толщиной 1,5-2,0 мм, после чего поляризационный потенциал отключают и продолжают осаждение поликристаллического кремния до получения слоя необходимой толщины. Изобретение направлено на упрощение процесса снятия осажденного на стержневую основу слоя поликристаллического кремния. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента