RU 2278075 C2, 20.06.2006. WO 2002/100776 A, 19.12.2002. GB 2028289 A, 05.03.1980. JP 59-123227 A, 17.07.1984.
Имя заявителя:
ХЕМЛОК СЕМИКОНДАКТОР КОРПОРЕЙШН (US)
Изобретатели:
АРВИДСОН Арвид Нил (US) МОЛНАР Майкл (US)
Патентообладатели:
ХЕМЛОК СЕМИКОНДАКТОР КОРПОРЕЙШН (US)
Приоритетные данные:
30.08.2006 US 11/512,853
Реферат
Изобретение может быть использовано в производстве поликристаллического кремния, применяемого в микроэлектронике. При его получении поток отходящего газа из одного или нескольких реакторов Сименса подают в один или несколько реакторов с псевдоожиженным слоем. Поток отходящего газа из множества реакторов Сименса может быть подан непосредственно в один или несколько реакторов с псевдоожиженным слоем без промежуточных стадий обработки. Поток отходящего газа включает трихлорсилан, тетрахлорид кремния, водород, хлористый водород и порошкообразный кремний. Порошкообразный кремний может быть удален из потока отходящего газа перед подачей потока отходящего газа в реактор с псевдоожиженным слоем. Изобретение позволяет облегчить нагрев при получении поликристаллического кремния, уменьшить количество побочных продуктов. 4 н. и 10 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента