Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПАССИВНЫЙ ДАТЧИК НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ

Номер публикации патента: 2427943

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010105457/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L041/08    
Аналоги изобретения: US 7005964 B2, 28.02.2006. RU 2105993 C1, 27.02.1998. RU 235098 C2, 27.03.2009. RU 2296950 C2, 10.04.2007. CN 101644772 A, 10.02.2010. WO 2005033719 A1, 14.04.2008. WO 2006028974 A, 16.03.2006. 

Имя заявителя: Открытое акционерное общество "Авангард" (RU) 
Изобретатели: Калинин Владимир Анатольевич (RU)
Плесский Виктор Петрович (RU)
Шубарев Валерий Анатольевич (RU)
Мельников Владимир Александрович (RU) 
Патентообладатели: Открытое акционерное общество "Авангард" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для дистанционного измерения физических величин. Технический результат: снижение погрешности измерений, повышение чувствительности датчика и дальности считывания от него, упрощение конструкции устройства, повышение технологичности его изготовления и надежности работы. Сущность: датчик содержит расположенные на подложке 1 из пьезоэлектрического материала встречно штыревой преобразователь (ВШП) 2 и две структуры металлических отражателей 3 и 4 для поверхностных акустических волн (ПАВ). Первая структура отражателей предусмотрена в качестве опорного элемента, вторая - в качестве чувствительного элемента. Отражатели 3 ПАВ первой структуры и отражатели 4 ПАВ второй структуры выполнены с различными чувствительностями к измеряемой величине. ВШП 2 выполнен однонаправленным и расположен так, что направление распространения ПАВ от него происходит против естественной однонаправленности пьезоэлектрического материала подложки 1. Направление ПАВ от отражателей 3 и 4 совпадает с естественной однонаправленностью пьезоэлектрического материала подложки 1, при которой коэффициент анизотропии отраженной ПАВ 0. Отражатели 3 и 4 ПАВ выполнены по направлению распространения ПАВ симметричными и разделенными между собой минимально возможным электрическим зазором 5 или выполнены без зазора. Отражатели 4 второй ПАВ структуры по всей поверхности покрыты слоем материала 6, чувствительного к измеряемой величине. 4 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"