GOLYSHEV V.D. et al. Problem of Bi4Ge3O12 and Li2B4O7 single crystal growth by crucibleless variant of AHP method. Journal of Crystal Growth. 1999, vol.198-199, part 1, p.501-506. SU 1800854 A1, 20.06.1996. RU 2330127 C2, 27.07.2008.
Имя заявителя:
Гоник Михаил Александрович (RU)
Изобретатели:
Гоник Михаил Александрович (RU) Гоник Марк Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Гоник Михаил Александрович (RU)
Реферат
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава зонной плавкой при температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, находящегося в контакте с расплавленной зоной, форма которой управляется, а подпитка осуществляется с помощью механизма для перемещения загрузки. Способ осуществляют выращиванием кристаллов бестигельным методом на затравку путем вытягивания вниз кристалла из расплавленной зоны в градиенте температуры с использованием ростовой камеры, фонового многосекционного нагревателя, дополнительного нагревателя в герметичном корпусе - ОТФ-нагревателя, находящегося вблизи фронта кристаллизации в контакте с расплавленной зоной, удерживаемой силами поверхностного натяжения между дном корпуса ОТФ-нагревателя и кристаллом, а также подачи кристаллизуемого материала питателем, при этом высоту расплавленной зоны поддерживают в диапазоне от 1 до 20 мм, обеспечивая ее разнотолщинность на противоположных краях ОТФ-нагревателя в пределах от 0,1 до 0,5 мм, а по всему сечению растущего кристалла - от 0,1 до 5 мм при осевом градиенте температуры в диапазоне от 5 до 500°С/см и радиальном - в диапазоне от 0,1 до 10°С/см. Способ и устройство для его реализации обеспечивают близкую к плоской форму фронта кристаллизации, требуемые тепловые условия на нем по всему сечению кристалла, а также заданный состав кристаллизуемого материала, что в конечном итоге способствует повышению качества выращиваемого кристалла и эффективности производства монокристаллов. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента