US 5917195 А, 29.06.1999. US 5023139 А, 11.06.1991. RU 2355471 С1, 20.05.2009.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт ядерных исследований РАН (ИЯИ РАН) (RU)
Изобретатели:
Кравчук Леонид Владимирович (RU) Лебедев Сергей Григорьевич (RU) Андреев Владимир Григорьевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт ядерных исследований РАН (ИЯИ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области наноразмерных и наноструктурированных материалов. Технический результат - увеличение эффекта резонансного усиления электрон-фононного взаимодействия, расширение спектра усиливаемых фононов и переход к трехмерной структуре путем создания нового нанокомпозита. Способ получения нанокомпозита на основе фононных резонаторов заключается в том, что получают нанопорошок из электропроводящего материала, отбирают наночастицы кристаллитов электропроводящего материала с размерами в интервале от 3 до 20 нанометров, поверхность каждой из отобранных наночастиц кристаллита электропроводящего материала покрывают оболочкой в виде слоя другого электропроводящего материала с атомной (молекулярной) массой, большей атомной (молекулярной) массы материала кристаллита, и с толщиной слоя, не превышающей радиуса кристаллита, причем выполняется условие 1/hF<<M/(FM), где hF - длина пробега фононов в кристаллите, M - разница атомных (молекулярных) масс материала оболочки и материала кристаллита, F - длина волны фонона, М - атомная (молекулярная) масса материала кристаллита, и уплотняют полученный порошок покрытых оболочкой наночастиц под давлением или спеканием до образования проводящего объемного нанокомпозита. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента