NIKOLAJSEN T. et al. Photorefractive two-step recording in a piezoelectric La[3]Ga[5]SiO[14] crystal doped with praseodymium. Opt. Lett, vol:23, num: 15, p.1164-1166, 01.08.1998. US 6069440 A, 30.05.2000. US 6303048 B1, 16.10.2001. RU 23025 U1, 10.05.2002.
Имя заявителя:
ЗАО "Лайт Энджинс Корпорейшн" (RU)
Изобретатели:
Щербаков Николай Валентинович (RU) Сочин Наум Петрович (RU) Абрамов Владимир Семенович (RU) Шишов Александр Валерьевич (RU)
Патентообладатели:
ЗАО "Лайт Энджинс Корпорейшн" (RU)
Приоритетные данные:
22.12.2005 US 11/315,787
Реферат
Изобретение относится к светоизлучающим комбинированным устройствам, содержащим оптически активные композиции на основе Лангасита в сочетании со светодиодами, излучающими в коротковолновой области спектра. Описывается новая компоновка полупроводниковых устройств в сочетании с оптически активными композициями. В частности, светоизлучающие полупроводники, выполненные на основе InGaN структуры, в сочетании с высокоэффективными оптически активными кристаллами Лангасита La3Ga5SiO14. При активировании Лангасита данная композиция взаимодействует с излучением InGaN структуры. Лангасит поглощает фотоны с высокой энергией, излучаемые InGaN структурой, и переизлучает свет с большей длиной волн. Коротковолновое, более высокоэнергетичное излучение InGaN структуры, смешивается с более длинноволновым излучением оптически активной композиции и формирует широкий спектр, который воспринимается наблюдателем как белый свет. Технический результат - создание широкополосного источника света на основе полупроводниковых структур, где фотолюминофор Лангасит с высокой эффективностью возбуждения излучением, характерным для InGaN светодиодов, переизлучает свет в средней области видимого спектра. 4 н. и 15 з.п. ф-лы, 4 табл., 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента