Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБЫ И АППАРАТУРА ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ЛИТОГО КРЕМНИЯ И ИЗДЕЛИЙ ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ЛИТОГО КРЕМНИЯ ДЛЯ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ

Номер публикации патента: 2425183

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008134068/05 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B011/00   C30B028/06   C30B011/14   C30B029/06   H01L031/04    
Аналоги изобретения: ЕР 748884 А1, 18.12.1996. JP 10007493 А, 13.01.1998. ЕР 887442 А1, 30.12.1998. JP 10194718 А, 28.07.1998. FR 2824847 A1, 22.11.2002. 

Имя заявителя: ЭйЭмДжи АЙДЕАЛКАСТ СОЛАР КОРПОРЕЙШН (US) 
Изобретатели: СТОДДАРД Натан Г. (US) 
Патентообладатели: ЭйЭмДжи АЙДЕАЛКАСТ СОЛАР КОРПОРЕЙШН (US) 
Приоритетные данные: 20.01.2006 US 60/760,453
30.05.2006 US 60/808,954
24.08.2006 US 60/839,670
24.08.2006 US 60/839,672 

Реферат


Изобретение относится к технологии производства литого кремния: моно- или поликристаллического, используемого в фотоэлектрических элементах и других полупроводниковых устройствах. Один из вариантов раскрыт в способе получения литого кремния, включающем приведение расплавленного кремния в контакт по меньшей мере с одним затравочным кристаллом кремния в сосуде, имеющем одну или несколько боковых стенок, нагретых по меньшей мере до температуры плавления кремния, и по меньшей мере одну охлаждаемую стенку, и образование твердого массива монокристаллического кремния, необязательно по меньшей мере с двумя измерениями, каждое по меньшей мере примерно по 10 см, путем охлаждения расплавленного кремния при регулировании кристаллизации, причем образование массива включает формирование границы раздела твердого тела с жидкостью по ребру расплавленного кремния, которая по меньшей мере сначала параллельна по меньшей мере одной охлаждаемой стенке, и граница раздела регулируется во время охлаждения таким образом, что она перемещается в направлении, при котором увеличивается расстояние между расплавленным кремнием и по меньшей мере одной охлаждаемой стенкой. Представлены также другие варианты. Предлагаемые способы являются более быстрыми, эффективными и менее дорогими и позволяют регулировать размер, форму и ориентацию зерен кристаллов в литом массиве кристаллизующегося кремния. С их помощью получают литой массив кремния большого размера (например, слитки с площадью поперечного сечения по меньшей мере 1 м2 и до 4-8 м2), не содержащий или практически не содержащий радиально распределенных примесей и кислород-индуцированных дефектов упаковки. 10 н. и 24 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 табл.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"