Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


КРИСТАЛЛИЗАТОР ДЛЯ ОБРАБОТКИ РАСПЛАВЛЕННОГО КРЕМНИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2423558

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008132975/05 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/10   C30B011/00   C30B029/06   F27B014/10    
Аналоги изобретения: DE 962868 С, 25.04.1957. WO 2005106084 A1, 10.11.2005. WO 2004053207 A1, 24.06.2004. US 5132145 A, 21.07.1992. HIDE I. et al. Mould shaping silicon crystal growth with a mould coating material by the spinning method, "Journal of Crystal Growth", 1986, vol.79, no.1-3, p.583-589. 

Имя заявителя: ВЕЗУВИУС КРУСИБЛ КОМПАНИ (US) 
Изобретатели: РАНКУЛЬ Жилбер (FR) 
Патентообладатели: ВЕЗУВИУС КРУСИБЛ КОМПАНИ (US) 
Приоритетные данные: 12.01.2006 EP 06447007.3 

Реферат


Изобретение относится к оборудованию для кристаллизации расплавленного кремния или металлургической обработки для получения кремния очень высокой чистоты. Кристаллизатор содержит основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем. В соответствии с настоящим изобретением основной корпус содержит, по меньшей мере, 65% по весу карбида кремния и от 12 до 30% по весу компонента, выбранного из группы, в которую входят диоксид или нитрид кремния. Более того, основной корпус содержит, по меньшей мере, одно покрытие из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере, на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора. Использование в качестве основного компонента кристаллизатора карбида кремния, имеющего кристаллографическую фазу, которая не подвергается фазовому превращению при температурах обработки расплавленного кремния, позволяет решить проблему потери однородности передачи/отвода энергии, существующую в обычных кристаллизаторах. Кроме того, карбид кремния не имеет пластических фаз при этих температурах и, следовательно, не подвергается деформации. Благодаря этим отличным характеристикам такой кристаллизатор может быть использован несколько раз без какого-либо видимого ухудшения его физической целостности. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 1 табл.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"