DE 962868 С, 25.04.1957. WO 2005106084 A1, 10.11.2005. WO 2004053207 A1, 24.06.2004. US 5132145 A, 21.07.1992. HIDE I. et al. Mould shaping silicon crystal growth with a mould coating material by the spinning method, "Journal of Crystal Growth", 1986, vol.79, no.1-3, p.583-589.
Имя заявителя:
ВЕЗУВИУС КРУСИБЛ КОМПАНИ (US)
Изобретатели:
РАНКУЛЬ Жилбер (FR)
Патентообладатели:
ВЕЗУВИУС КРУСИБЛ КОМПАНИ (US)
Приоритетные данные:
12.01.2006 EP 06447007.3
Реферат
Изобретение относится к оборудованию для кристаллизации расплавленного кремния или металлургической обработки для получения кремния очень высокой чистоты. Кристаллизатор содержит основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем. В соответствии с настоящим изобретением основной корпус содержит, по меньшей мере, 65% по весу карбида кремния и от 12 до 30% по весу компонента, выбранного из группы, в которую входят диоксид или нитрид кремния. Более того, основной корпус содержит, по меньшей мере, одно покрытие из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере, на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора. Использование в качестве основного компонента кристаллизатора карбида кремния, имеющего кристаллографическую фазу, которая не подвергается фазовому превращению при температурах обработки расплавленного кремния, позволяет решить проблему потери однородности передачи/отвода энергии, существующую в обычных кристаллизаторах. Кроме того, карбид кремния не имеет пластических фаз при этих температурах и, следовательно, не подвергается деформации. Благодаря этим отличным характеристикам такой кристаллизатор может быть использован несколько раз без какого-либо видимого ухудшения его физической целостности. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента