М.О.Aboelfbtoh, et all. Electrical and microstructural characteristics of GeCu ohmic contacts to n-type GaAs. J. Mater. Res., v.12, 9, 1997, pp.2325-2332. M.O.Aboelfbtoh. Microstructure characterization of Cu3Ge/n-type GaAs ohmic contacts. J. Appl. Phys, 76 (10), 1994. RU 2084988 C1, 20.07.1997. SU 1817159 A1, 23.05.1993. SU1440296 A1, 10.12.1995. SU 519043 A1, 20.05.2000. US 7368822 A, 06.05.2008. US 5444016 A, 22.08.1995. US 4540446 A, 10.09.1985. KR 970003830 В1, 22.03.1997. JP 62205622 A, 10.09.1987. JP 6163455 A, 10.06.1994.
Имя заявителя:
Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма Микран" (RU)
Изобретатели:
Ерофеев Евгений Викторович (RU) Кагадей Валерий Алексеевич (RU)
Патентообладатели:
Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма Микран" (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии получения дискретных приборов и интегральных схем на основе полупроводниковых соединений AIIIBV. Изобретение обеспечивает уменьшение величины приведенного контактного сопротивления изготовленных омических контактов. Сущность изобретения: в способе изготовления омического контакта к GaAs на основе тонких пленок Ge и Cu, включающем создание на поверхности пластины n-GaAs маски для реализации процесса обратной литографии, осаждение тонких пленок Ge и Cu на поверхность пластины n-GaAs, первую термообработку в едином вакуумном цикле с процессом осаждения, извлечение пластины n-GaAs из вакуумной камеры, удаление маски и вторую термообработку, первую термообработку производят в атмосфере атомарного водорода при температуре от 150 до 460°С и плотности потока атомов водорода на поверхность пластины n-GaAs, равной 1013-1016 ат·см2·с-1. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента