Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


НАНОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК

Номер публикации патента: 2422811

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010104349/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01N027/22   B82B001/00    
Аналоги изобретения: RU 2208083 C1, 10.06.2003. RU 2274854 C1, 20.04.2006. RU 2274853 C1, 20.04.2006. RU 2178558 C1, 20.01.2002. RU 2178559 C1, 20.01.2002. JP 11051892 A, 28.02.1999. US 2005129573 A1, 16.06.2005. WO 2008039165 A2, 03.04.2008. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" (RU) 
Изобретатели: Кировская Ираида Алексеевна (RU)
Подгорный Станислав Олегович (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, для регистрации и измерения содержания оксида углерода и других газов. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из наноразмерной пленки теллурида кадмия, легированного селенидом цинка. Подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика и технологичности его изготовления. 3 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"