US 5537081 А, 16.07.1996. RU 2193273 C2, 10.06.2002. US 5140281 A, 18.08.1992. US 6114904 A, 05.09.2000.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Изобретатели:
Прокопенко Николай Николаевич (RU) Никуличев Николай Николаевич (RU) Будяков Петр Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Реферат
Изобретение относится к радиотехнике и связи для усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, в операционных усилителях (ОУ) с малыми значениями напряжения смещения нуля Uсм в условиях воздействия радиации или температуры). Технический результат: уменьшение Uсм. Дифференциальный усилитель содержит первый (1) и второй (2) входные транзисторы (Т), эмиттеры которых связаны друг с другом и подключены к первому (3) источнику питания через первый (4) токостабилизирующий двухполюсник, коллектор первого (1) входного Т соединен с коллектором и базой первого (5) вспомогательного Т и базой второго (6) вспомогательного Т, эмиттеры первого (5) и второго (6) вспомогательных Т связаны со вторым (7) источником питания, коллектор второго (2) входного Т соединен с коллектором второго (6) вспомогательного Т, первый (8) и второй (9) выходные Т с объединенными базами, эмиттеры которых соединены со вторым (7) источником питания, коллектор первого (8) выходного Т связан с базой третьего (10) выходного Т и через второй (11) токостабилизирующий двухполюсник соединен с первым (3) источником питания, коллектор второго (9) выходного Т связан с выходом устройства и эмиттером третьего (10) выходного Т, коллектор которого соединен с первым (3) источником питания. Базы первого (8) и второго (9) выходных Т соединены с коллектором второго (6) вспомогательного Т. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента