US 6686613 B2, 03.02.2004. RU 2361318 С2, 10.07.2008. RU 2274929 С2, 20.04.2006. SU 1152436 A1, 10.06.2000. SU 705924 A1, 30.10.1993. US 6825110 B2, 30.11.2004.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Изобретатели:
Громов Владимир Иванович (RU) Губарев Виталий Николаевич (RU) Лебедев Александр Садофьевич (RU) Михеев Сергей Владимирович (RU) Потапчук Владимир Александрович (RU) Сурма Алексей Маратович (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Реферат
Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления высоковольтных биполярных транзисторов с изолированным затвором на основе кремния. Техническим результатом изобретения является улучшение сочетания характеристик биполярного транзистора с изолированным затвором: пробивного напряжения коллектор-эмиттер в блокирующем состоянии и напряжения насыщения коллектор-эмиттер в проводящем состоянии. Сущность изобретения: в способе изготовления высоковольтного биполярного транзистора с изолированным затвором создание более легированного слоя n-типа проводимости, примыкающего к базовому слою полупроводниковой структуры, проводят перед созданием базы методом ионной имплантации с использованием маски для базы, причем доза имплантированных атомов донорной примеси D, выраженная в микрокулонах на квадратный сантиметр, составляет величину D0,04/erfc[Xj/(0,455*Xd)], где erfc - дополнительная функция ошибок; Xd - глубина более легированного слоя n-типа проводимости по уровню 0,5 от максимального значения разности концентрации доноров и акцепторов в этом слое; Xj - глубина базы, а режим разгонки имплантированной примеси выбирают так, чтобы глубина более легированного слоя n-типа проводимости была больше Xj, но меньше, чем Xj+W, где W - минимальное расстояние между p-n-переходами «база-слаболегированный слой» двух соседних ячеек. 2 табл., 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента