US 5317276 A, 31.05.1994. RU 2321106 C1, 27.03.2008. RU 2367066 C1, 10.09.2009.
Имя заявителя:
Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд." (KR)
Изобретатели:
Дунаева Мария Андреевна (RU) Чернокалов Александр Геннадьевич (RU)
Патентообладатели:
Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд." (KR)
Реферат
Изобретение относится к области электронных технологий и описывает схему усовершенствованного фазовращателя, содержащего четыре pMOSFET и резистор или источник тока, при этом второй и третий pMOSFET управляются противофазными цифровыми сигналами управления, затворы первого и четвертого pMOSFET управляются высокочастотным входным сигналом, а при переключении противофазных цифровых сигналов управления фаза выходного сигнала изменяется на девяносто градусов, причем первый и третий pMOSFET соединены последовательно, при этом на исток первого pMOSFET подают напряжение питания (VCC), сток первого pMOSFET связан с истоком третьего pMOSFET, а сток третьего pMOSFET связан с выходом и резистором или источником тока, при этом затвор третьего pMOSFET управляется цифровым сигналом, второй и четвертый pMOSFETs соединены последовательно, при этом на исток второго pMOSFET подают напряжение питания (VCC), сток второго pMOSFET связан с истоком четвертого pMOSFET, а сток четвертого pMOSFET связан с выходом и резистором или источником тока, при этом затвор второго pMOSFET управляется цифровым сигналом. Технический результат -упрощение, повышение функциональности. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента