Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


КРИСТАЛЛ SiC ДИАМЕТРОМ 100 мм И СПОСОБ ЕГО ВЫРАЩИВАНИЯ НА ВНЕОСЕВОЙ ЗАТРАВКЕ

Номер публикации патента: 2418891

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008152451/05 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B029/36   C30B023/00   C30B033/00    
Аналоги изобретения: WO 2006011976 A1, 02.02.2006. US 4912064 A, 27.03.1990. JP 4016597 A, 21.01.1992. US 2006032434 A1, 16.02.2006. RU 2272090 C2, 20.03.2004. 

Имя заявителя: КРИ, ИНК. (US) 
Изобретатели: ЛЕОНАРД Роберт Тайлер (US)
БРЭДИ Марк (US)
ПАУВЕЛ Эдриан (US) 
Патентообладатели: КРИ, ИНК. (US) 
Приоритетные данные: 06.07.2006 US 11/428,954 

Реферат


Изобретение относится к полупроводниковым материалам и технологии их получения и может быть использовано в электронике. Полупроводниковый кристалл карбида кремния содержит монокристаллическую затравочную часть 21 и монокристаллическую выращенную часть 22 на указанной затравочной части 21, при этом затравочная 21 и выращенная 22 части образуют по существу правильный цилиндрический монокристалл карбида кремния 20, причем границу раздела между выращенной и затравочной частью определяет затравочная грань 23, которая по существу параллельна основаниям указанного правильного цилиндрического монокристалла 20 и имеет отклонение от оси на угол примерно 0,5°-12° относительно базовой плоскости 26 монокристалла 20, а указанная монокристаллическая выращенная часть воспроизводит политип указанной монокристаллической затравочной части и имеет диаметр, по меньшей мере, примерно 100 мм. Изобретение обеспечивает получение высококачественных (с малым содержанием дефектов) монокристаллов карбида кремния большого диаметра, из которых можно получать отдельные пластины с внеосевыми поверхностями в форме круга. 3 н. и 25 з.п. ф-лы, 7 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"