ДОБРОВИНСКАЯ Е. и др. Энциклопедия сапфира. - Харьков: НТК «Институт монокристаллов», 2004, с.229-231. SU 1745780 A1, 07.07.1992. US 4539067 A, 03.09.1985. JP 63159288 A, 02.07.1988.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "ЭКСИТОН" (RU)
Изобретатели:
Синельников Борис Михайлович (RU) Мотренко Евгений Иванович (RU) Буков Виталий Иванович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "ЭКСИТОН" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации диэлектрических материалов из расплава, например лейкосапфира. Способ основан на сравнении текущих параметров роста монокристаллов при постоянном весовом контроле и постоянной скорости кристаллизации с результатами периодических вычислений по математическим формулам, описывающим нелинейные процессы движения теплового поля и фронта кристаллизации в объеме тигля, последующем изменении технологических параметров процесса выращивания. Иллюстрируется комплексный график зависимостей от времени веса и скорости вытягивания растущего монокристалла при выращивании носовой зоны. Перед плавлением шихты проводят дегазацию шихты и гарнисажа в вакуумной камере. Изобретение позволяет получать монокристаллы особо крупного размера цилиндрической формы за счет устранения радиальной несимметрии температурного поля вблизи фронта кристаллизации и обеспечивает структурное совершенство монокристалла по всему объему за счет постоянства скорости кристаллизации. 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента