Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА САПФИРА НА ЗАТРАВОЧНОМ КРИСТАЛЛЕ, ОСТАЮЩЕМСЯ В РАСПЛАВЕ В ПРОЦЕССЕ ВЫРАЩИВАНИЯ

Номер публикации патента: 2417277

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009129789/05 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B017/00   C30B015/20   C30B015/28   C30B029/20    
Аналоги изобретения: ДОБРОВИНСКАЯ Е. и др. Энциклопедия сапфира. - Харьков: НТК «Институт монокристаллов», 2004, с.229-231. SU 1745780 A1, 07.07.1992. US 4539067 A, 03.09.1985. JP 63159288 A, 02.07.1988. 

Имя заявителя: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "ЭКСИТОН" (RU) 
Изобретатели: Синельников Борис Михайлович (RU)
Мотренко Евгений Иванович (RU)
Буков Виталий Иванович (RU) 
Патентообладатели: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "ЭКСИТОН" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации диэлектрических материалов из расплава, например лейкосапфира. Способ основан на сравнении текущих параметров роста монокристаллов при постоянном весовом контроле и постоянной скорости кристаллизации с результатами периодических вычислений по математическим формулам, описывающим нелинейные процессы движения теплового поля и фронта кристаллизации в объеме тигля, последующем изменении технологических параметров процесса выращивания. Иллюстрируется комплексный график зависимостей от времени веса и скорости вытягивания растущего монокристалла при выращивании носовой зоны. Перед плавлением шихты проводят дегазацию шихты и гарнисажа в вакуумной камере. Изобретение позволяет получать монокристаллы особо крупного размера цилиндрической формы за счет устранения радиальной несимметрии температурного поля вблизи фронта кристаллизации и обеспечивает структурное совершенство монокристалла по всему объему за счет постоянства скорости кристаллизации. 6 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"