RU 2215061 C1, 27.10.2003. RU 2293796 C2, 20.02.2007. RU 2061786 C1, 10.06.1996. RU 2219283 C2, 20.12.2003. US 5286297 A, 15.02.1994. EP 0794553 A, 10.09.1997.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт прикладной физики РАН (RU)
Изобретатели:
Вихарев Анатолий Леонтьевич (RU) Горбачев Алексей Михайлович (RU) Денисов Григорий Геннадьевич (RU) Соболев Дмитрий Игоревич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт прикладной физики РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к плазменному реактору и может найти применение для высокоскоростного осаждения алмазных пленок из газовой фазы в плазме СВЧ разряда. Плазменный реактор содержит СВЧ генератор, передающую линию, оканчивающуюся квазиоптической электродинамической системой, и реакционную камеру с установленной в ней подложкой для осаждения алмазной пленки. Передающая линия выполнена в виде единой волноводной системы, объединяющей выходной волновод СВЧ генератора с излучением на рабочей моде и делитель одного пучка на два одинаковых волновых пучка. Реакционная камера выполнена в виде сплошного замкнутого металлического экрана выпуклой формы с возможностью отражения к подложке рассеянного плазмой СВЧ излучения. Зеркала квазиоптической электродинамической системы крепятся внутри реакционной камеры к ее боковой стенке. В результате достигается существенное уменьшение потерь СВЧ энергии как при передаче ее от СВЧ генератора до реакционной камеры, так и в самой реакционной камере. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента