GB 1419034, 24.12.1975. МАРО У. Микролитография. - М.: Мир, 1990, с.842. RU 2140623 С1, 27.10.1999. US 3930913 А, 01.06.1976.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "ЭЛПА" с опытным производством" (ОАО "НИИ "ЭЛПА") (RU)
Изобретатели:
Голубский Александр Алексеевич (RU) Нерсесов Сергей Суренович (RU) Трусов Анатолий Аркадьевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "ЭЛПА" с опытным производством" (ОАО "НИИ "ЭЛПА") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к микроэлектронике интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки и резонаторы), которые находят широкое применение в авионике и бортовых системах. Способ включает размещение подложек с нанесенным слоем фоторезиста в плазмохимическом реакторе и обработку слоя фоторезиста в кислородсодержащей среде, при этом подложки размещают в плазмохимическом реакторе на подложкодержателе, а допроявление фоторезиста проводят одновременно на всех размещенных подложках в плазме смеси кислорода и инертного газа, в которой в качестве инертного газа используют гелий или неон, или аргон, при этом содержание кислорода находится в пределах 5-15 об.%, а инертного газа - в пределах 85-95 об.%. при давлении в реакционной камере 80-150 Па, плотности ВЧ-мощности в пределах 0,02-0,04 Вт/см3 и времени обработки в пределах 40-300 с. Технический результат: увеличение производительности и выхода годных за счет повышения степени очистки при допроявлении фоторезиста на пьезоэлектрических подложках (кварц, ниобат и танталат лития и др.) путем введения в газовый разряд инертного газа. 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента