US 4366442 A, 28.12.1982. US 3922614 A, 25.11.1975. US 3921090 A, 18.11.1975. ПОЛОННИКОВ Д.Е. Операционные усилители: Принципы построения, теория, схемотехника. - М.: Энергоатомиздат, 1983, с.94, рис.3,9.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Изобретатели:
Прокопенко Николай Николаевич (RU) Стороженко Андрей Сергеевич (RU) Будяков Петр Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, в компараторах и решающих усилителях с малыми значениями эдс смещения нуля). Технический результат: уменьшение абсолютного значения Uсм и его температурного дрейфа. Дифференциальный операционный усилитель содержит входной дифференциальный каскад (ДК) (1) с первым (2) и вторым (3) токовыми выходами, первый выходной транзистор (4), коллектор и база которого соединены с базой второго (5) выходного транзистора, третий выходной транзистор (6), база которого соединена с коллектором второго (5) выходного транзистора и первым токовым выходом (2) входного ДК (1), первый токостабилизирующий двухполюсник (ТД) (7), связанный с базой второго (5) выходного транзистора, буферный усилитель (БУ) (8), вход которого соединен с коллектором третьего (6) выходного транзистора и вторым ТД (9), причем эмиттеры первого (4), второго (5), третьего (6) выходных транзисторов связаны с первой (10) шиной источника питания. В схему введен первый (11) дополнительный транзистор, эмиттер которого связан со вторым (3) токовым выходом входного ДК (1), коллектор соединен с первой (10) шиной источника питания, а база подключена к базе третьего (6) выходного транзистора. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента