US 2005155641 A1, 21.07.2005. ЕР 1333509 А2, 06.08.2003. US 6566595 B2, 20.05.2003. US 5965899 A, 12.10.1999. WO 9842024 A1, 24.09.1998. СА 2140619 А1, 24.06.1995. JP 1095576 A, 14.05.1986. RU 2137257 C1, 10.09.1999. RU 2022411 С1, 30.10.1994.
Имя заявителя:
ХЕЛИАНТОС Б.В. (NL)
Изобретатели:
ЗЕМАН Мирослав (NL) ЙОНГЕРДЕН Герт Ян (NL)
Патентообладатели:
ХЕЛИАНТОС Б.В. (NL)
Приоритетные данные:
02.12.2005 EP 05111611.9 01.02.2006 US 60/763,916
Реферат
Изобретение относится с фотоэлектрическому элементу, включающему в себя, по меньшей мере, первый переход между парой полупроводниковых областей (4-9). По меньшей мере, одна из этой пары полупроводниковых областей включает в себя, по меньшей мере, часть сверхрешетки, содержащей первый материал с распределенными в нем образованиями второго материала. Образования имеют достаточно малые размеры, так что эффективная ширина запрещенной зоны сверхрешетки по меньшей мере частично определяется этими размерами. Между полупроводниковыми областями предусмотрен поглощающий слой (24-26), и этот поглощающий слой содержит материал, предназначенный для поглощения излучения с возбуждением в результате этого носителей заряда, и имеет такую толщину, что уровни возбуждения определяются самим этим материалом. По меньшей мере, одна из эффективных энергетических зон сверхрешетки и один из уровней возбуждения материала поглощающего слоя выбирают для согласования соответственно, по меньшей мере, одного из уровней возбуждения материала поглощающего слоя и эффективной энергетической зоны сверхрешетки. Изобретение обеспечивает относительно эффективное преобразование солнечной энергии при заданных затратах на производство. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента