WO 2009/029153 А1, 05.03.2009. US 2009189143 А1, 30.07.2009. US 2008273280 Al, 06.11.2008. US 6448709 B1, 10.09.2002. RU 2369938 C1, 10.10.2009.
Имя заявителя:
Государственное учебно-научное учреждение Химический факультет Московского Государственного Университета им. М.В. Ломоносова (RU)
Изобретатели:
Киселев Николай Андреевич (RU) Елисеев Андрей Анатольевич (RU) Куршева Вера Владимировна (RU) Вербицкий Николай Иванович (RU) Кумсков Андрей Сергеевич (RU) Вячеславов Александр Сергеевич (RU) ХАТЧИСОН Джон (GB)
Патентообладатели:
Государственное учебно-научное учреждение Химический факультет Московского Государственного Университета им. М.В. Ломоносова (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологическим процессам производства компонентов микроэлектроники и вычислительных схем. Сущность изобретения: диод на основе одностенной углеродной нанотрубки включает одиночную одностенную углеродную нанотрубку, содержащую модифицирующие вещества. Нанотрубка содержит две части, первая обладает одним типом проводимости, а вторая - другим, отличным от первого. Диод содержит металлические контакты. Способ изготовления диода на основе одностенной углеродной нанотрубки включает синтез одностенных углеродных нанотрубок, открытие внутреннего канала одностенных углеродных нанотрубок, заполнение внутреннего канала одностенных углеродных нанотрубок веществом, кристаллизацию вещества во внутреннем канале одностенных углеродных нанотрубок, удаление фрагмента кристалла из половины углеродной нанотрубки и нанесения контактов. Изобретение обеспечивает получение нанокомпозита «одностенная углеродная нанотрубка - внедренное неорганическое соединение», в котором часть нанотрубки заполнена, а часть остается пустой. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента