US 5413951 А, 09.05.1995. RU 2284073 С1, 20.09.2006. WO 2006031641 A2, 23.03.2006. CHOI Y-S et al, Sapphire substrate-transferred nitride-based light-emitting diode fabricated by sapphire wet etching technique, "Solid-State Electronics", 2006, vol.50, no.9-10, p.p.1522-1528.
Имя заявителя:
СЭНТ-ГОБЭН КЕРАМИКС ЭНД ПЛАСТИКС, ИНК. (US)
Изобретатели:
ТАНИКЕЛЛА Брахманандам В. (US) СИМПСОН Мэтью А. (US) ЧИННАКАРУППАН Паланиаппан (US) РИЗЗУТО Роберт А. (US) ЧЕРИАН Исаак К. (US) ВЕДАНТАМ Рамануджам (US)
Патентообладатели:
СЭНТ-ГОБЭН КЕРАМИКС ЭНД ПЛАСТИКС, ИНК. (US)
Приоритетные данные:
28.12.2006 US 60/882,343
Реферат
Изобретение относится к изготовлению сапфировых подложек и к технологии их чистовой обработки. Предлагается сапфировая подложка, которая содержит плоскую поверхность, имеющую кристаллографическую ориентацию, выбранную из группы, в которую входят ориентации в а-плоскости, r-плоскости, m-плоскости и с-плоскости, и которая имеет nTTV ориентировочно не более 0,037 мкм/см2, причем nTTV представляет собой изменение полной толщины, нормализованное относительно площади плоской поверхности, при этом подложка имеет диаметр ориентировочно не меньше чем 9,0 см. Изобретение обеспечивает получение подложек высокого качества, имеющих большие площади поверхности. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 6 ил., 6 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента