Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПЕРЕДНИЙ КОНТАКТ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ИНДИЯ - ЦИНКА ДЛЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРИБОРА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2413333

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008137782/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/0224    
Аналоги изобретения: WO 2004066354 A2, 05.08.2004. RU 217204242 C2, 10.08.2001. JP 11040825 A1, 12.02.1999. ЕР 0217405 А1, 08.04.1987. 

Имя заявителя: ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ КОРП. (US) 
Изобретатели: КРАСНОВ Алексей (US) 
Патентообладатели: ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ КОРП. (US) 
Приоритетные данные: 23.02.2006 US 11/359,775 

Реферат


Изобретение относится к микроэлектронике. Фотоэлектрический прибор согласно изобретению выполнен не основе аморфного кремния, содержит переднюю стеклянную подложку, активную полупроводниковую пленку, содержащую аморфный кремний, электропроводный и практически прозрачный передний электрод, расположенный, по меньшей мере, между передней стеклянной подложкой и активной полупроводниковой пленкой и задний электрод. Активная полупроводниковая пленка расположена между передним электродом и задним электродом. Передний электрод содержит проводящий слой, содержащий оксид индия-цинка (IZO). Также предложен еще один вариант выполнения фотоэлектрического прибора и способ изготовления фотоэлектрических приборов. Изобретение обеспечивает стабилизацию оптических и/или электрических свойств фотоэлектрического прибора. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 2 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"