Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АТОМНО - ТОНКИХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК

Номер публикации патента: 2413330

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009142861/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/20   B82B003/00    
Аналоги изобретения: S.Park et al., Nature Nanotech. 2009, 4, p.217. RU 97115373 A, 20.07.1999. RU 2215061 C1, 27.10.2003. EP 0299752 A2, 18.01.1989. US 2006276037 A1, 07.12.2006. KR 20030011399 A, 11.02.2003. 

Имя заявителя: Закрытое акционерное общество "Нанотех-Актив" (RU) 
Изобретатели: Быков Виктор Александрович (RU)
Латышев Юрий Ильич (RU)
Латышев Александр Юрьевич (RU)
Шустин Евгений Германович (RU)
Исаев Николай Васильевич (RU) 
Патентообладатели: Закрытое акционерное общество "Нанотех-Актив" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано для получения атомно-тонких монокристаллических пленок различных слоистых материалов. Сущность изобретения: в способе получения атомно-тонких монокристаллических пленок, включающем выделение тонких монокристаллических фрагментов из исходных слоистых монокристаллов, соединение их с рабочей подложкой и формирование атомно-тонких монокристаллических пленок, после соединения тонких монокристаллических фрагментов с рабочей подложкой помещают рабочую подложку в плазменный реактор и осуществляют последовательное стравливание слоев с тонких монокристаллических фрагментов используя низкоэнергетический монохроматический ионный пучок с энергией, изменяемой в процессе травления, причем пучок ориентирован преимущественно перпендикулярно плоскости рабочей подложки. Техническим результатом изобретения является повышение размеров атомно-тонких монокристаллических пленок. 14 з.п. ф-лы, 5 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"