Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


НАНОЭЛЕКТРОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД

Номер публикации патента: 2412898

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010105333/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: B81B001/00   H01L029/861    
Аналоги изобретения: RU 2372691 C1, 10.11.2009. RU 2372692 C1, 10.11.2009. RU 2372693 C1, 10.11.2009. RU 2372694 C1, 10.11.2009. US 6229153 B1, 08.05.2001. US 5723872 A, 03.03.1998. US 5389798 A, 14.02.1995. JP 61176163 A, 07.08.1986. 

Имя заявителя: Федоров Игорь Борисович (RU),
Шашурин Василий Дмитриевич (RU),
Нарайкин Олег Степанович (RU),
Иванов Юрий Александрович (RU),
Мешков Сергей Анатольевич (RU),
Федоренко Иван Александрович (RU),
Башков Валерий Михайлович (RU),
Федоркова Нина Валентиновна (RU),
Синякин Владимир Юрьевич (RU) 
Изобретатели: Федоров Игорь Борисович (RU)
Шашурин Василий Дмитриевич (RU)
Нарайкин Олег Степанович (RU)
Иванов Юрий Александрович (RU)
Мешков Сергей Анатольевич (RU)
Федоренко Иван Александрович (RU)
Башков Валерий Михайлович (RU)
Федоркова Нина Валентиновна (RU)
Синякин Владимир Юрьевич (RU) 
Патентообладатели: Федоров Игорь Борисович (RU)
Шашурин Василий Дмитриевич (RU)
Нарайкин Олег Степанович (RU)
Иванов Юрий Александрович (RU)
Мешков Сергей Анатольевич (RU)
Федоренко Иван Александрович (RU)
Башков Валерий Михайлович (RU)
Федоркова Нина Валентиновна (RU)
Синякин Владимир Юрьевич (RU) 

Реферат


Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×10181×1019 1/см3, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выполненных из AlyGa1-yAs, где y - молярная доля Аl, толщиной от 1,70 до 8,48 нм с молярной долей Аl от 0,4 до 1 и расположенной между ними потенциальной ямы толщиной 7,9112,44 нм, выполненной из GaAs, отношение молярных долей Аl слоев потенциальных барьеров лежит в пределах 1,62,5. Изобретение позволяет обеспечить создание выпрямительного диода с формой ВАХ, позволяющей увеличить выходное напряжение выпрямителя в 510 раз при амплитуде входного переменного напряжения UВХ0,2 В. 3 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"