US 5387555 А, 07.02.1995. RU 2234164 C2, 27.04.2004. RU 2230393 C2, 10.06.2004. RU 2149481 C1, 20.05.2000. US 2008138987 A1, 12.06.2008. US 2007128742 A1, 07.06.2007. EP 0328817 A2, 23.08.1989.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU)
Изобретатели:
Красников Геннадий Яковлевич (RU) Тадевосян Самвел Грантович (RU) Ранчин Сергей Олегович (RU) Шелегеда Андрей Григорьевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU)
Реферат
Изобретение относится к методу изготовления пленок монокристаллического кремния на изоляторе. Техническим результатом изобретения является уменьшение количества дефектов и повышение качества пленок кремния на изоляторе за счет сохранения качества исходного материала. Сущность изобретения - в способе изготовления структуры кремния на изоляторе путем соединения двух кремниевых пластин, одна из которых имеет изолирующий слой на рабочей поверхности, изолирующий слой на рабочей поверхности первой пластины имеет вытравленный контур по краю пластины, а по краю рабочей поверхности второй пластины наносится слой материала, повторяющий по своей форме и размеру вытравленную область на первой пластине и позволяющий закрепить обе пластины между собой при их контакте во время термообработки. 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента