M.Aleman, еу al, Front-side metallization of silicon solar cells by nickel plating and light induced silver plating», 2, 2009, p.412-417. WO 2004004928 A1, 15.01.2004. KR 100416740 B1, 17.05.2005. US 4612698 A, 23.09.1986. US 4609585 A, 02.09.1986. US 437264 A, 31.08.1982. RU 1635843 A1, 23.05.1993.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС) (RU)
Изобретатели:
Уэльский Анатолий Адамович (RU) Заддэ Виталий Викторович (RU) Гребенников Александр Васильевич (RU) Стороженко Павел Аркадьевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов из кремния, в частности к изготовлению фотопреобразователей. Способ создания контактного рисунка из никеля на пластинах кремния включает создание диэлектрической пленки с окнами, химическое осаждение никеля в окна кремниевых пластин и образование прослойки силицида никеля, которое производят из газовой фазы при термическом разложении паров тетракарбонила никеля в интервале температур 200-300°С, при давлении в системе (1-10)·10-1 мм рт.ст. и скорости подачи паров тетракарбонила никеля 0,5÷2 мл/мин на 1 дм2 покрываемой поверхности, затем химическим травлением удаляют слой никеля до слоя силицида никеля и химическим осаждением наносят никель на прослойку силицида никеля в окна диэлектрической пленки. Изобретение обеспечивает возможность создания прочного контакта электропроводящего слоя на основе никеля с низким омическим сопротивлением независимо от типа проводимости и степени легирования поверхности кремния. 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента