RU 2168799 C1, 10.06.2001. RU 2165661 C1, 20.04.2001. Л.В.Кожитов, Т.Т.Кондратенко. Разработка технологии производства силовых выпрямительных диодов на непланарном кремнии. Материалы I Международной казахстанско-российско-японской научной конференции и IY российско-японского семинара «Перспективные технологии, оборудование и аналитическиесистемы для материаловедения и наноматериалов», Под редакцией проф. Л.В.Кожитова, МИСиС - Interactive Corp. - ВКГТУ, 24-25 июня 2008 года, г.Усть-Каменогорск. - М.: издательство МГИУ, с.511-528. ЕР 0043654 А2, 13.01.1982.
Имя заявителя:
Гунгер Юрий Робертович (RU), Кузнецов Евгений Викторович (RU)
Изобретатели:
Гунгер Юрий Робертович (RU) Кузнецов Евгений Викторович (RU) Абрамов Павел Иванович (RU) Селиванов Олег Юшевич (RU)
Патентообладатели:
Гунгер Юрий Робертович (RU) Кузнецов Евгений Викторович (RU)
Реферат
Изобретение относится к области силовой промышленной электронной техники. Сущность изобретения: диод силовой низкочастотный выпрямительный непланарный на рабочий ток свыше 1000 А и рабочее напряжение не менее 1000 В содержит внутренний контакт, на котором закреплена непланарная полупроводниковая кремниевая структура трубчатой формы из сплошного слитка кремния, выращенного в направлении <111>, на которой закреплен трубчатой формы наружный контакт. Внутренний контакт выполнен в виде медной втулки с продольной внутренней полостью для прохождения хладагента или в виде гибкой спирали из меди, навитой виток к витку, на наружной поверхности которой пайкой закреплен бандаж в виде слоя из молибдена. Непланарная кремниевая полупроводниковая р+-р-n-n+ композиция представляет собой совокупность замкнутых симметричных полупроводниковых монокристаллических слоев, сформированных на основе полой подложки со стенками переменной толщины, методом диффузии. На поверхность торцов композиции по границам выхода р-n перехода произведено осаждение защитного слоя диэлектрика. На внешней поверхности непланарной структуры сформирована высоколегированная р+-область кремния путем напыления слоя алюминия для закрепления трубчатой формы наружного токоподводящего контакта. Непланарная полупроводниковая композиция и закрепленный на ней наружный токоподводящий контакт смонтированы между стеклокерамическими шайбами, закрепленными на бандаже. Изобретение обеспечивает повышение эксплуатационно-технических характеристик. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента