Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ ПОВЫШЕННОЙ ТОЧНОСТИ НА ОСНОВЕ НАНО - И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С ТОНКОПЛЕНОЧНЫМИ ТЕНЗОРЕЗИСТОРАМИ

Номер публикации патента: 2411474

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010105448/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01L009/04   B82B001/00    
Аналоги изобретения: SU 1615578 A1, 23.12.1990. RU 2006980 C1, 30.01.1994. RU 2251087 C2, 27.04.2005. RU 2055334 C1, 27.02.1996. RU 2137249 C1, 10.09.1999. 

Имя заявителя: Белозубов Евгений Михайлович (RU),
Васильев Валерий Анатольевич (RU),
Чернов Павел Сергеевич (RU) 
Изобретатели: Белозубов Евгений Михайлович (RU)
Васильев Валерий Анатольевич (RU)
Чернов Павел Сергеевич (RU) 
Патентообладатели: Белозубов Евгений Михайлович (RU)
Васильев Валерий Анатольевич (RU)
Чернов Павел Сергеевич (RU) 

Реферат


Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления жидких и газообразных агрессивных сред при воздействии нестационарных температур. Техническим результатом изобретения является повышение точности за счет уменьшения нелинейности измерительной цепи датчика, а также за счет уменьшения разницы расстояний от центра мембраны до тензорезисторов, включенных в противоположные плечи мостовой измерительной схемы. Датчик давления повышенной точности на основе нано- и микроэлектромеханической системы с тонкопленочными тензорезисторами содержит корпус, установленную в корпусе нано- и микроэлектромеханическую систему (НиМЭМС), состоящую из упругого элемента - мембраны с жестким центром, заделанную по контуру в опорном основании, образованной на ней гетерогенной структуры из тонких пленок материалов, в которой сформированы контактные площадки. При этом в гетерогенной структуре сформированы первые радиальные тензорезисторы из идентичных тензоэлементов, расположенных по одной окружности мембраны, и вторые радиальные тензорезисторы из идентичных тензоэлементов, расположенных по второй окружности мембраны, соединенные тонкопленочными перемычками, включенные в измерительный мост. Тензоэлементы первых и вторых радиальных тензорезисторов расположены по окружностям, радиусы которых определены из соответствующих соотношений. 9 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"