US 2008193644, 14.08.2008. RU 2115764 С1, 20.07.1998. RU 2046154 C1, 20.10.1995. RU 2344902 C1, 27.01.2009. JP 56062964 A, 29.05.1981. JP 11001776 A, 06.01.1999. JP 61117277 А, 04.06.1986.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (RU)
Изобретатели:
Шенгуров Владимир Геннадьевич (RU) Светлов Сергей Петрович (RU) Чалков Вадим Юрьевич (RU) Денисов Сергей Александрович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технике получения пленок в вакууме, в частности к устройству для вакуумного напыления пленок, и может быть использовано для эпитаксиального выращивания слоев при изготовлении полупроводниковых приборов, устройств интегральной оптики, при нанесении функциональных покрытий из металлов и кремния и т.п. Устройство содержит расположенные в вакуумной камере (1) подложкодержатель (2) и резистивный испаритель (3) напыляемого материала, подключенные к источнику тока токовводами (4), которые соединены между собой изолятором и расположены внутри герметично укрепленного в стенке камеры сильфона (7). Токовводы (4) соединены с приводом для обеспечения качательного движения испарителя напыляемого материала. Устройство позволяет повысить однородность толщины напыляемых слоев и обеспечивает возможность выращивания однородных эпитаксиальных слоев на подложке большой площади. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента