Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОРПУСА ПО РАЗМЕРАМ КРИСТАЛЛА ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ

Номер публикации патента: 2410793

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008139706/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L023/02    
Аналоги изобретения: RU 71477 U1, 10.03.2008. RU 71478 U1, 10.03.2008. RU 71479 U1, 10.03.2008. RU 2007108260 A, 10.09.2008. WO 2008013197 A1, 09.02.2006. 

Имя заявителя: Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" (RU) 
Изобретатели: Громов Владимир Иванович (RU) 
Патентообладатели: Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе изготовления корпуса по размерам кристалла интегральной микросхемы, включающем присоединение к лицевой стороне исходной кремниевой пластины со сформированным кристаллом интегральной микросхемы другой кремниевой или стеклянной пластины-крышки, утонение исходной пластины, формирование на обратной утоненной стороне металлизированных контактных площадок, имеющих с соответствующими контактными площадками интегральной микросхемы низкоомное электрическое соединение, формирование на базе контактных площадок обратной стороны столбиковых выводов интегральной микросхемы, разделение на отдельные кристаллы-корпуса, низкоомное электрическое соединение между контактными площадками лицевой и обратной стороны исходной кремниевой пластины формируют с помощью сквозных низкоомных каналов в исходной кремниевой пластине перед процессом изготовления кристалла интегральной микросхемы путем локального травления канавок с обратной стороны исходной кремниевой пластины на глубину несколько большую толщины активных структур будущего кристалла интегральной микросхемы, термического окисления обратной стороны исходной пластины и стенок протравленных канавок до создания требуемой толщины изолирующего диоксида кремния, заполнения канавок сильнолегированным поликристаллическим кремнием, после чего к планарезированной обратной стороне исходной кремниевой пластины приклеивают опорную кремниевую пластину, затем лицевую сторону исходной кремниевой пластины сошлифовывают до появления поликремниевых областей локальных сквозных канавок и на этой поверхности формируют интегральную микросхему, затем к ней по всей площади лицевой поверхности присоединяют кремниевую или стеклянную пластину-крышку, устраняют опорную пластину и на вскрытой обратной стороне исходной кремниевой пластины в местах выхода локальных областей поликремния формируют столбиковые вывода микросхемы. Изобретение обеспечивает высокий процент выхода годных, низкую материалоемкость и себестоимость процесса корпусирования, высокие надежность и технические характеристики. 4 з.п. ф-лы, 11 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"