RU 2318255 C1, 27.02.2008. US 2005/0248888 A1, 10.11.2005. ДЕХТЯРУК Л.В. Гигантский магниторезистивный эффект в магнитоупорядоченных трехслойных пленках. В: Вiсник СумДу, серия Физика, математика, механiка, 2, 2007. RU 2139602 C1, 10.10.1999. RU 2294026 С1, 20.02.2007. RU 2322384 C1, 20.04.2008.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" (RU)
Изобретатели:
Бугаев Александр Степанович (RU) Балабанов Дмитрий Евгеньевич (RU) Батурин Андрей Сергеевич (RU) Балтинский Валерий Александрович (RU) Котов Вячеслав Алексеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области магнитных нанокомпозитных материалов с гигантским магниторезистивным эффектом и может быть использовано в магниторезистивных датчиках и магнитной памяти с произвольной выборкой информации. Техническим результатом является создание композитной наноструктуры с высоким туннельным магниторезистивным эффектом с возможностью функционирования при рабочих температурах до 80°С и повышение надежности технологии изготовления приборов на основе предлагаемых наноструктур. Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура состоит из слоя магнитомягкого ферромагнитного материала и нескольких чередующихся слоев магнитных нанокластеров, при этом слой магнитомягкого ферромагнитного материала имеет толщину 3-5 нм, и слой отделен от магнитных нанокластеров слоем из немагнитного диэлектрика толщиной 1,5-3,0 нм, за которым расположены чередующиеся слои магнитных нанокластеров из ферромагнитного материала толщиной 0,8-2,0 нм и антиферромагнитного диэлектрического материала толщиной 1,5-3,0 нм. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента