Учреждение Российской академии наук Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра РАН (ИХТРЭМС КНЦ РАН) (RU)
Изобретатели:
Колосов Валерий Николаевич (RU) Мирошниченко Марина Николаевна (RU) Орлов Вениамин Моисеевич (RU) Прохорова Татьяна Юрьевна (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра РАН (ИХТРЭМС КНЦ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к порошковой металлургии и может быть использовано при получении высокочистых порошков тантала и ниобия с большой удельной поверхностью для производства анодов объемно-пористых конденсаторов. В герметичный реактор загружают исходную шихту, содержащую соединение вентильного металла в виде фторотанталата или фторониобата калия и галогенид щелочного металла в виде хлорида натрия, хлорида калия, фторида калия или их смеси. На внутренней поверхности реактора формируют гарнисажный слой из галогенида щелочного металла в присутствии легирующей добавки, в качестве которой берут серу, фосфор или их смесь. Нагревают шихту в атмосфере аргона с образованием расплава и подают в реактор жидкий щелочной металл. Восстановление соединения вентильного металла ведут при температуре расплава 600-900°С и перемешивании расплава в турбулентном режиме с постепенным плавлением гарнисажного слоя. В процессе восстановления соединения вентильного металла в реактор дополнительно вводят порошкообразный галогенид щелочного металла с легирующей добавкой. Общее количество легирующей добавки составляет 0,005-0,05 мас.% соединения вентильного металла, а количество вводимого порошкообразного галогенида щелочного металла определяют по формуле. Образовавшуюся реакционную массу, содержащую порошок вентильного металла и галогенид щелочного металла, кристаллизуют, измельчают и отмывают порошок вентильного металла от галогенида щелочного металла. Обеспечивается стабильность процесса восстановления, высокая производительность способа. 3 з.п. ф-лы, 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента