Микроэлектронные устройства СВЧ. - М.: Высшая школа, 1988, с.82. RU 2005138662 А, 20.06.2007. RU 2314603 С2, 10.01.2008. US 4621244 А, 04.11.1986. ЕР 1544941 А, 09.04.2008.
Имя заявителя:
Афанасьев Михаил Сергеевич (RU), Ильин Евгений Михайлович (RU)
Изобретатели:
Афанасьев Михаил Сергеевич (RU) Ильин Евгений Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Афанасьев Михаил Сергеевич (RU) Ильин Евгений Михайлович (RU)
Реферат
Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано в интегральной СВЧ электронике для аппаратуры наземного, воздушного и космического базирования; при создании фиксированных и аналоговых ослабителей мощности СВЧ сигналов, балансировки каналов электронной аппаратуры, согласования импендансов в межкаскадных СВЧ цепях, электронных антенных коммутаторов, автоматизированных комплексов радиоконтроля, управляемых компьютером или микроконтроллером, импульсных модуляторов, а также формирования сигналов со сложными видами модуляции. В аттенюаторе используют мембрану из алмазной пленки в качестве управляющего элемента. Толщина пленки составляет от 30 до 500 нм, микрополосковая линия (МПЛ) выполнена из никеля толщиной от 10 нм до 100 нм. Аттенюатор дополнен источником УФ излучения, который направлен со стороны подложки через отверстие в ней перпендикулярно поверхности алмазной пленки. Увеличение интенсивности УФ излучения вызывает уменьшение омического сопротивления алмазной пленки, в МПЛ создается режим, близкий к короткому замыканию, что приводит к возрастанию поглощаемой мощности СВЧ сигнала в МПЛ и препятствует прохождению СВЧ сигнала с входа на выход МПЛ. Техническим результатом является улучшение функциональных параметров, расширение динамического диапазона регулировки мощности сигнала, быстродействия, снижение потерь, снижение габаритных размеров. 1 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента