Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2408111

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009105792/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/042   B82B001/00   B82B003/00    
Аналоги изобретения: SU 288163 A1, 01.01.1970. SU 434872 A, 24.12.1976. SU 1686983 A3, 27.06.1998. RU 2099818 C1, 20.12.1997. RU 2127009 C1, 27.02.1999. RU 2217845 C1, 27.11.2003. WO 2006118900 A2, 09.11.2006. 

Имя заявителя: Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) (RU) 
Изобретатели: Заддэ Виталий Викторович (RU)
Стребков Дмитрий Семенович (RU) 
Патентообладатели: Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) (RU) 

Реферат


Полупроводниковый фотоэлектрический генератор выполнен в виде скоммутированных контактами матрицы из микрофотопреобразователей, у которых один или два линейных размера соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области р- или n-типа проводимости, а плоскости p-n переходов и изотипных переходов перпендикулярны рабочей поверхности генератора, р-n переходы и изотипные переходы выполнены в виде гетероперехода с широкозонным n+ или (р+) слоем с подслоем туннельно-тонкой широкозонной пленки собственной проводимости. Вся рабочая поверхность покрыта просветляющей, пассивирующей пленкой с содержанием до 5% водорода. Также предложен способ изготовления полупроводниковых фотоэлектрических генераторов. Изобретение обеспечивает повышение КПД и снижение стоимости изготовления фотоэлектрических генераторов, состоящих из множества микрофотопреобразователей. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"