Erofeev E.V. et al. Study of the multilayer ohmic contacts to n-i-GaAs with Ti diffusion barrier. Proceedings of the 9th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows (9th CMM), Tomsk, Russia, 21-26 September 2008, pp.597-599. RU 2084988 C1, 20.07.1997. SU 1817159 A1, 23.05.1993. SU 1440296 A1,10.12.1995. SU 519043 A1, 20.05.2000. US 5444016 A, 22.08.1995. US 4540446 A, 10.09.1985. KR 970003830 B1, 22.03.1997. JP 62205622 A, 10.09.1987. JP 6163455 A, 10.06.1994.
Имя заявителя:
Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма Микран" (RU)
Изобретатели:
Ерофеев Евгений Викторович (RU) Кагадей Валерий Алексеевич (RU)
Патентообладатели:
Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма Микран" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и направлено на уменьшение величины приведенного контактного сопротивления многослойных омических контактов Ge/Au/Ni/Ti/Au. Сущность изобретения: в способе изготовления многослойного омического контакта к n-GaAs, включаещем создание на поверхности пластины двухслойной фоторезистивной маски, послойное осаждение пленок на основе Ge и Au с толщинами пленок, соответствующих эвтектическому составу, и общей толщиной 50-300 нм, осаждение пленки на основе Ni толщиной 10-100 нм, пленки диффузионного барьера толщиной 10-200 нм и верхней пленки Аb толщиной 10-1000 нм, удаление двухслойной фоторезистивной маски и термообработку контактов в инертной атмосфере, осаждение пленок Ge, Au, Ni и Au на поверхность GaAs производят с углом влета атомов этих материалов относительно нормали к поверхности пластины, находящемся в диапазоне 0-2°, а осаждение пленки диффузионного барьера на основе Ti, или Та, или W, или Cr, или Pt, или Pd, или TiW, или TiN, или TaN или WN производят с углом влета атомов =n×, где - угол влета атомов Ge, Au, Ni, n=2-10. Термообработку производят в течение 1-30 мин или в установке быстрого термического отжига в течение 30-300 сек. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента