RU 2315825 C1, 27.01.2008. RU 2132890 C1, 10.07.1999. JP 10012555 A, 16.01.1998. EP 1782457 A2, 09.05.2007.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н" (RU)
Изобретатели:
Макаров Юрий Николаевич (RU) Сегаль Александр Соломонович (RU) Смирнов Сергей Александрович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н" (RU)
Реферат
Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов путем нанесения полупроводниковых материалов на подложку и может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Способ выращивания кристаллов нитридов металлов III группы из газовой фазы включает размещение подложки 12 в верхней части реактора над источником металла III группы 5 и подачу к поверхности подложки 12 в направлении, противоположном направлению силы тяжести газовых потоков, каждый из которых содержит, по крайней мере, один химически активный газ и, по крайней мере, один несущий газ. Для повышения рентабельности процесса устанавливают расходы химически активных газов, удовлетворяющие условию: GV/GIII=5÷1000, где GV - мольный расход химически активных газов, включающих элемент V группы - азот, например аммиак, GIII - мольный расход химически активных газов, содержащих металл III группы, смешивают каждый химически активный газ с, по крайней мере, одним несущим газом до получения газовых потоков, в которых общая плотность газовой смеси, содержащей химически активный газ, включающий металл III группы, меньше общей плотности газовой смеси, содержащей химически активный газ, включающий элемент V группы - азот. Такое соотношении плотностей газовых смесей позволяет улучшить структуры газовых потоков в реакторе и устранить вихревое рециркуляционное течение под подложкой. Затем подают полученные газовые потоки в направлении подложки 12 по кольцевым каналам 8, 9, 10, сформированным симметрично относительно оси реактора. Изобретение позволяет улучшить качество кристаллов и управляемость процесса за счет совершенствования структуры газовых потоков в реакторе. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента