Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ЭЛЕКТРОДНАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОННОМ УСТРОЙСТВЕ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2404484

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008137651/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/02   H01L031/18    
Аналоги изобретения: US 5626688 A, 06.05.1997. WO 2004032180 A2, 15.04.2004. DE 4333407 C1, 17.11.1994. US 2005028861 A1, 10.02.2005. RU 2170994 C1, 20.07.2001. 

Имя заявителя: ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ КОРП. (US) 
Изобретатели: КРАСНОВ Алексей (US) 
Патентообладатели: ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ КОРП. (US) 
Приоритетные данные: 22.02.2006 US 11/358,718 

Реферат


Изобретение относится к микроэлектронике. Согласно изобретению предложен солнечный элемент, выполненный на стеклянной подложке, содержащей SiO2, Na2O, CaO с возможными добавками MgO, Al2O3, K2O, при этом солнечный элемент содержит буферный слой из нитрида кремния, сформированный на стеклянной подложке и находящийся в непосредственном контакте с ней; задний электрод, содержащий Мо, сформированный на буферном слое, находящийся в непосредственном контакте с ним; слой абсорбера, сформированный на заднем электроде, содержащем Мо; и фронтальный электрод. Также предложены электронное устройство и способ его изготовления. Изобретение обеспечивает возможность предотвращения или ослабления неконтролируемой миграции натрия в полупроводниковый слой (слои) солнечных элементов или других электронных устройств. 3 н. и 18 з.п. ф-лы, 2 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"