

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ТУГОПЛАВКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Номер публикации патента: 2404298

Вид документа:	C2
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2008132276/05

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	C30B017/00 C30B033/02 C30B029/20
Аналоги изобретения:	RU 2056463 C1, 20.03.1996. FR 2851259 A1, 20.08.2004. DE 3616427 A1, 20.11.1986.

Имя заявителя:	Закрытое акционерное общество (ЗАО) "ИНКРОМ" (RU)
Изобретатели:	Гарибин Евгений Андреевич (RU) Демиденко Алексей Александрович (RU) Миронов Игорь Алексеевич (RU) Соловьев Сергей Николаевич (RU)
Патентообладатели:	Закрытое акционерное общество (ЗАО) "ИНКРОМ" (RU)

Реферат

Изобретение относится к технологии выращивания тугоплавких монокристаллов из расплава с использованием затравочного кристалла, в частности кристаллов лейкосапфира, рубина. Кристаллы выращивают методом Киропулоса с оптимальным режимом отжига, который проводят при снижении температуры выращенного монокристалла до 1200°С со скоростью 10-15°С/час и последующем охлаждении до комнатной температуры со скоростью 60°С/час. Технический результат изобретения заключается в получении крупногабаритных монокристаллов, менее напряженных во всем объеме и пригодных для механической обработки с целью получения пластин кристаллов нулевой ориентации. 1 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"