Изобретение может быть использовано в производстве материалов, способных обеспечивать защиту от теплового излучения. Оксид цинка содержит галлий в диапазоне от 0,25 до 25 вес.% и имеет плотность ne носителей заряда, составляющую 2×1020/см3 или выше, и подвижность µ носителей заряда в диапазоне от 0,1 до 40 см2/В·с. Тонкая пленка из указанного галлийсодержащего оксида цинка имеет толщину 5 мкм или меньше, а также степень пропускания солнечного излучения Ts и степень пропускания видимого светового излучения Tv, удовлетворяющие неравенству Ts1,4Tv-39. Тонкая пленка из галлийсодержащего оксида цинка удовлетворяет условию Y0,4Х+1,06 при толщине пленки 400 нм или больше и условию Y0,2Х+0,98 при толщине пленки 300 нм или меньше, где Х = плотность носителей заряда ×10-20/подвижность носителей заряда и Y представляет собой значение Tv/Ts. Изобретение позволяет получить галлийсодержащий оксид цинка, обладающий свойством защиты от теплового излучения при сохранении высокой прозрачности для видимого светового излучения, 5 н. и 17 з.п. ф-лы, 10 ил., 6 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента