US 6237527 B1, 29.05.2001. RU 2285069 C2, 10.10.2006. RU 2191441 C2, 20.10.2002. RU 2181787 C2, 27.04.2002. RU 2087586 C1, 20.08.1997. US 4764394 A, 16.08.1988. KR 2009023380 A, 04.03.2009. US 2009078890 A, 26.03.2009.
Имя заявителя:
ФГБОУ ВПО Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (RU)
Изобретатели:
Неволин Владимир Николаевич (RU) Фоминский Вячеслав Юрьевич (RU) Романов Роман Иванович (RU)
Патентообладатели:
ФГБОУ ВПО Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано в электронике, в частности в технологии изготовления полупроводниковых приборов на карбиде кремния, а также в области модифицирования поверхности ионной имплантацией для получения износо- и коррозионно-стойких материалов. Способ ионной имплантации включает создание плазмы внутри рабочей камеры и подачу импульсного ускоряющего напряжения, согласно изобретению имплантацию проводят из импульсной лазерной плазмы, содержащей многозарядные ионы, импульсное ускоряющее напряжение подают либо на подложку, либо на мишень, при этом задержку между лазерным импульсом и импульсом ускоряющего напряжения определяют по расчетной формуле, связывающей расстояние от мишени до подложки, скорость центра масс компоненты с максимальным зарядом, температуру ионной компоненты с максимальным зарядом, массу и постоянную Больцмана. Предлагаемое изобретение обеспечивает увеличение круга имплантируемых веществ, а также осуществление селективной имплантации многозарядных ионов. 3 з.п. ф-лы. 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента